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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7329TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+10：￥10.93235 +300：￥7.3931 +1000：￥5.42685 +4000：￥3.9325 +8000：￥3.735875	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 12V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 9.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 57nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3450pF 10V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7329TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.878871 +10：￥5.277871 +30：￥4.950053 +100：￥4.578526 +500：￥4.414617	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 12V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 9.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 57nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3450pF 10V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7329TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥7.705401	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 12V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 9.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 57nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3450pF 10V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7329TRPBF 授权代理品牌	IRF7329TRPBF BYCHIP/百域芯下载数据手册未分类	+10：￥2.307957 +500：￥2.130493 +2000：￥1.952914 +6000：￥1.775334	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF7329TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+10：￥13.185812 +500：￥12.966095 +1000：￥12.85612 +3000：￥12.636404	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 12V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 9.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 57nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3450pF 10V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7329TRPBF 授权代理品牌	IRF7329TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.985327 +50：￥1.902905 +100：￥1.820365 +8000：￥1.737827	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7329TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥3.453531 +8000：￥3.289119 +12000：￥3.137264	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 12V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 9.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 57nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3450pF 10V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7329TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥8.448252 +8000：￥8.046057 +12000：￥7.674578	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 12V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 9.2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 900mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 57nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3450pF 10V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7329TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥20.431251 +10：￥16.716478 +100：￥12.99742 +500：￥11.016873 +1000：￥8.974319	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
	IRF7329TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥20.431251 +10：￥16.716478 +100：￥12.99742 +500：￥11.016873 +1000：￥8.974319	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

IRF7329TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 个 P 沟道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9.2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	17 毫欧 9.2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	900mV 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	57nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3450pF 10V
功率 - 最大值:	2W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）