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IRF9540_未分类
IRF9540
ON(安森美)
授权代理品牌

IRF9540 - 19A, 100V, 0.2OHM, P-C

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未分类
+1：

￥9.779907

+200：

￥3.791763

+500：

￥3.649708

+1000：

￥3.584145

库存： 1000 +

国内：1~2 天

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-220-3

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 19A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 200mOhm @ 11A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 150W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA

Supplier Device Package： TO-220AB

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 61 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1400 pF @ 25 V

IRF9540_未分类
IRF9540
minos(迈诺斯)
授权代理品牌
+1：

￥1.966909

+10：

￥1.9232

+50：

￥1.890418

+100：

￥1.857636

库存： 1000 +

国内：1~2 天

 暂无参数
IRF9540_未分类
IRF9540
Slkor(萨科微)
授权代理品牌
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￥3.223545

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￥2.589763

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￥2.327509

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国内：1~2 天

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Digi-Key
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IRF9540_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRF9540
Vishay(威世)
授权代理品牌
1+:

需询价

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Vishay Siliconix

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 11A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 61 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 150W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-220AB

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRF9540_未分类
IRF9540
ON Semiconductor
授权代理品牌

IRF9540 - 19A, 100V, 0.2OHM, P-C

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货期：7~10 天

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-220-3

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 19A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 200mOhm @ 11A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 150W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA

Supplier Device Package： TO-220AB

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 61 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1400 pF @ 25 V

Mouser
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IRF9540_晶体管-FET，MOSFET-单个
IRF9540
Vishay(威世)
授权代理品牌
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货期：7~10 天

品牌： Vishay Siliconix

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 11A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 61 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 150W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-220AB

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 175°C（TJ）

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IRF9540
ON(安森美)
授权代理品牌

IRF9540 - 19A, 100V, 0.2OHM, P-C

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货期：7~10 天

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-220-3

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 19A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 200mOhm @ 11A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 150W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA

Supplier Device Package： TO-220AB

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 61 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1400 pF @ 25 V

IRF9540参数规格

属性 参数值
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
FET Feature: -
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V