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搜索 IPD30N12S3L31ATMA1 共 6 条相关记录
自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IPD30N12S3L31ATMA1_晶体管-FET，MOSFET-单个
IPD30N12S3L31ATMA1
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
+2500：

￥2.607102

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： -

技术： -

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： -

供应商器件封装： -

封装/外壳： -

温度： -

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IPD30N12S3L31ATMA1_晶体管-FET，MOSFET-单个
IPD30N12S3L31ATMA1
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌
+2500：

￥6.377662

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： -

技术： -

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： -

供应商器件封装： -

封装/外壳： -

温度： -

IPD30N12S3L31ATMA1_未分类
IPD30N12S3L31ATMA1
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌

MOSFET N-CHANNEL_100+

下载数据手册

未分类
+2500：

￥6.803062

+5000：

￥6.462869

+12500：

￥6.21999

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 31mOhm @ 30A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 57W

Vgs(th) (Max) @ Id： 2.4V @ 29µA

Supplier Device Package： PG-TO252-3-11

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 120 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 24 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1970 pF @ 25 V

IPD30N12S3L31ATMA1_未分类
IPD30N12S3L31ATMA1
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌

MOSFET N-CHANNEL_100+

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未分类
+1：

￥15.991446

+10：

￥14.33763

+100：

￥11.176244

+500：

￥9.232667

+1000：

￥7.289092

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 31mOhm @ 30A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 57W

Vgs(th) (Max) @ Id： 2.4V @ 29µA

Supplier Device Package： PG-TO252-3-11

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 120 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 24 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1970 pF @ 25 V

IPD30N12S3L31ATMA1_未分类
IPD30N12S3L31ATMA1
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌

MOSFET N-CHANNEL_100+

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未分类
+1：

￥15.991446

+10：

￥14.33763

+100：

￥11.176244

+500：

￥9.232667

+1000：

￥7.289092

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 31mOhm @ 30A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 57W

Vgs(th) (Max) @ Id： 2.4V @ 29µA

Supplier Device Package： PG-TO252-3-11

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 120 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 24 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1970 pF @ 25 V

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
IPD30N12S3L31ATMA1_晶体管
IPD30N12S3L31ATMA1
INFINEON(英飞凌)
授权代理品牌

MOSFET N-CHANNEL_100+

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晶体管
+1：

￥18.910907

+10：

￥16.971327

+100：

￥13.221472

+500：

￥10.926303

+1000：

￥8.631132

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Infineon Technologies

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： -

技术： -

漏源电压（Vdss）： -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： -

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： -

供应商器件封装： -

封装/外壳： -

温度： -

IPD30N12S3L31ATMA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: -
技术: -
漏源电压（Vdss）: -
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): -
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: -
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: -
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: -
Vgs（最大值）: -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: -
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: -
工作温度: -
安装类型: -
供应商器件封装: -
封装/外壳: -
温度: -