IPL60R2K1C6SATMA1厂家价格_数据手册

搜索 IPL60R2K1C6SATMA1 共 6 条相关记录

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPL60R2K1C6SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 8TSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C6 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.1 欧姆 760mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 60µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 140 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 21.6W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TSON-8-2 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPL60R2K1C6SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 8TSON 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C6 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.1 欧姆 760mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 60µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 140 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 21.6W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TSON-8-2 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -40°C # 150°C（TJ）
	IPL60R2K1C6SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 2.3A THIN-PAK 下载数据手册未分类	+919：￥4.112038	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： 8-PowerTDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -40°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 2.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 2.1Ohm @ 760mA, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 21.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.5V @ 60µA Supplier Device Package： PG-TSON-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 140 pF @ 100 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPL60R2K1C6SATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 8TSON 下载数据手册晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ C6 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.1 欧姆 760mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 60µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 140 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 21.6W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TSON-8-2 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -40°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPL60R2K1C6SATMA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 2.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R 下载数据手册未分类	+1：￥7.435054 +10：￥6.956599 +25：￥6.449626 +50：￥6.159703 +100：￥5.895127	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPL60R2K1C6SATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 2.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R 下载数据手册未分类	+19：￥4.166555 +25：￥3.862913 +50：￥3.689267 +100：￥3.530804 +1000：￥3.412193	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPL60R2K1C6SATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ C6
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.1 欧姆 760mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 60µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	6.7 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	140 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	21.6W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TSON-8-2
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-40°C # 150°C（TJ）