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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7805ZTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 16A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.454214 +10：￥8.036094 +30：￥6.617974 +100：￥5.436167 +500：￥4.727107	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.8 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2080 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF7805ZTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 16A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.133425	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.8 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2080 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF7805ZTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 16A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥1.94481	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.8 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2080 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7805ZTRPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRF7805ZTRPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+4000：￥1.093493 +12000：￥1.074508 +20000：￥1.045914 +24000：￥0.998336	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7805ZTRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF7805ZTRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.801728 +4000：￥1.696731 +12000：￥1.621601 +16000：￥1.57657	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7805ZTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 16A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+86：￥10.700774 +100：￥8.337658 +500：￥6.896081 +1000：￥5.439534 +2000：￥5.082821	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.8 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2080 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7805ZTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 16A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥8.938315	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.8 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2080 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7805ZTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 16A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.876615 +10：￥9.704014 +100：￥7.561037 +500：￥6.253704 +1000：￥4.932872	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.8 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2080 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7805ZTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 16A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥11.599489 +100：￥9.034886 +500：￥7.470478 +1000：￥5.895518 +2500：￥5.417202	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.8 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2080 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRF7805ZTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 16A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.8 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2080 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF7805ZTRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	16A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	6.8 毫欧 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.25V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	27 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2080 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SO
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF7805ZTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 16A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥1.94481	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.8 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2080 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7805ZTRPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRF7805ZTRPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+4000：￥1.093493 +12000：￥1.074508 +20000：￥1.045914 +24000：￥0.998336	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7805ZTRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF7805ZTRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.801728 +4000：￥1.696731 +12000：￥1.621601 +16000：￥1.57657	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF7805ZTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 16A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+86：￥10.700774 +100：￥8.337658 +500：￥6.896081 +1000：￥5.439534 +2000：￥5.082821	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.8 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2080 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7805ZTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 16A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥8.938315	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.8 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2080 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7805ZTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 16A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.876615 +10：￥9.704014 +100：￥7.561037 +500：￥6.253704 +1000：￥4.932872	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.8 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2080 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF7805ZTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 16A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥11.599489 +100：￥9.034886 +500：￥7.470478 +1000：￥5.895518 +2500：￥5.417202	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.8 毫欧 16A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.25V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2080 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）