IXTK82N25P厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 IXTK82N25P 共 7 条相关记录

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IXTK82N25P JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IXTK82N25P JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+25：￥24.599531 +250：￥22.631569 +750：￥22.237976 +1250：￥21.647588 +1500：￥20.270014	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IXTK82N25P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 82A TO264 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+250：￥34.852616 +500：￥34.559737 +750：￥33.973979	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 82A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 41A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 142 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-264（IXTK）封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IXTK82N25P JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IXTK82N25P JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+25：￥24.599531 +250：￥22.631569 +750：￥22.237976 +1250：￥21.647588 +1500：￥20.270014	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTK82N25P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 82A TO264 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥70.418469 +25：￥56.214701 +100：￥50.297299 +500：￥44.380021 +1000：￥39.941969	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 82A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 41A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 142 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-264（IXTK）封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTK82N25P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 82A TO264 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥172.262235 +25：￥137.516055 +100：￥123.040521 +500：￥108.56529 +1000：￥97.708639	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 82A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 41A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 142 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-264（IXTK）封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTK82N25P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 82A TO264 下载数据手册未分类	+1：￥184.402394 +10：￥173.457648 +25：￥146.261611 +100：￥131.502786 +250：￥128.849515	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 82A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 41A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 142 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-264（IXTK）封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTK82N25P Littelfuse(美国力特) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, 250V, 82A, TO-264 下载数据手册未分类	+1：￥95.370562 +5：￥85.735837 +10：￥76.087916 +50：￥73.765024 +100：￥71.428935	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXTK82N25P参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	Polar
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	82A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	35 毫欧 41A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	142 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4800 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	500W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-264（IXTK）
封装/外壳:	TO-264-3，TO-264AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）