IRF9358TRPBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 IRF9358TRPBF 共 8 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9358TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+10：￥14.254163 +300：￥9.639465 +1000：￥7.075838 +4000：￥5.127375 +8000：￥4.870976	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16.3 毫欧 9.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1740pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9358TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥7.099967 +10：￥6.091688 +30：￥5.535034 +100：￥4.915362 +500：￥4.631783	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16.3 毫欧 9.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1740pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9358TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥20.63292	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16.3 毫欧 9.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1740pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9358TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥3.211205 +8000：￥3.0583 +12000：￥2.917133	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16.3 毫欧 9.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1740pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9358TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥7.855458 +8000：￥7.481411 +12000：￥7.136079	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16.3 毫欧 9.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1740pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF9358TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥19.002491 +10：￥15.544897 +100：￥12.085871 +500：￥10.243629 +1000：￥8.344523	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
	IRF9358TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥19.002491 +10：￥15.544897 +100：￥12.085871 +500：￥10.243629 +1000：￥8.344523	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9358TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥21.419433 +10：￥19.372991 +100：￥15.143675 +500：￥12.415084 +1000：￥10.887075	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.2A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16.3 毫欧 9.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1740pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF9358TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 个 P 沟道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9.2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	16.3 毫欧 9.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.4V 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	38nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1740pF 25V
功率 - 最大值:	2W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）