品牌： Vishay Siliconix

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 600mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 390 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： 4-HVMDIP

封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： Vishay Siliconix

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 600 毫欧 600mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 390 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： 4-HVMDIP

封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）

温度： -55°C # 175°C（TJ）