IPW65R080CFDFKSA2厂家价格_数据手册

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	IPW65R080CFDFKSA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	HIGH POWER_LEGACY 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥66.705001 +200：￥55.587521 +500：￥44.46992 +1000：￥37.058307	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CFD2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 43.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 17.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 167 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5030 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 391W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	IPW65R080CFDFKSA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	HIGH POWER_LEGACY 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥68.448419 +200：￥26.49863 +500：￥25.558885 +1000：￥25.099939	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CFD2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 43.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 17.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 167 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5030 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 391W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPW65R080CFDFKSA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	HIGH POWER_LEGACY 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CFD2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 43.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 17.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 167 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5030 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 391W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IPW65R080CFDFKSA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	HIGH POWER_LEGACY 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+240：￥81.136956	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CFD2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 43.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 17.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 167 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5030 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 391W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IPW65R080CFDFKSA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥144.092572 +30：￥115.036793 +120：￥102.927135 +510：￥90.818561 +1020：￥81.736705	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-247-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 43.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 80mOhm @ 17.6A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 391W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 1.8mA Supplier Device Package： PG-TO247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 167 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 5030 pF @ 100 V

Mouser

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	IPW65R080CFDFKSA2 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	HIGH POWER_LEGACY 下载数据手册晶体管	+1：￥162.80838 +10：￥162.633504 +25：￥123.986188 +100：￥111.744956 +240：￥103.350968	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolMOS™ CFD2 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 43.3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 17.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 167 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5030 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 391W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IPW65R080CFDFKSA2 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, 650V, 43.3A, TO-247 下载数据手册未分类	+1：￥95.772568 +5：￥85.097154 +10：￥74.40843 +50：￥69.403498 +100：￥64.385256	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPW65R080CFDFKSA2 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 10 下载数据手册未分类	+1：￥99.522098 +10：￥75.592741 +25：￥54.566946	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPW65R080CFDFKSA2 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+30：￥62.412797 +480：￥62.055473 +720：￥61.936364 +960：￥61.698147	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IPW65R080CFDFKSA2 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 650V, 43.3A, TO-247 下载数据手册未分类	+1：￥102.28909 +5：￥90.881289 +10：￥79.47349 +50：￥74.12529 +100：￥68.764387	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPW65R080CFDFKSA2参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolMOS™ CFD2
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	43.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	80 毫欧 17.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 1.8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	167 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5030 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	391W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO247-3
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）