品牌： Vishay Siliconix

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 600mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 300mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 15 V

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 250 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： 通孔

供应商器件封装： 4-HVMDIP

封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）

温度： -

品牌： Vishay Siliconix

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 600mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 300mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 15 V

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 250 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： 通孔

供应商器件封装： 4-HVMDIP

封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）

温度： -

Packaging： Bulk

Package / Case： 4-DIP (0.300#, 7.62mm)

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： -

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 600mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 1.6Ohm @ 300mA, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： -

Vgs(th) (Max) @ Id： -

Supplier Device Package： 4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Part Status： Active

Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 15 nC @ 15 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 250 pF @ 25 V

品牌： Vishay Siliconix

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 600mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6 欧姆 300mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 15 V

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 250 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： 通孔

供应商器件封装： 4-HVMDIP

封装/外壳： 4-DIP（0.300，7.62mm）

温度： -