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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7316TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.180316	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 58 毫欧 4.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 710pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7316TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+10：￥11.899503 +300：￥8.047105 +1000：￥5.906978 +4000：￥4.280375 +8000：￥4.066326	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 58 毫欧 4.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 710pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7316TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.695768	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 58 毫欧 4.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 710pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7316TRPBF International 授权代理品牌	IRF7316TRPBF INTERNATIONAL RECTIFIER 下载数据手册未分类	+500：￥3.178491 +1000：￥3.16379 +5000：￥3.119568	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF7316TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+10：￥10.375719 +100：￥8.098377 +500：￥6.693612 +1000：￥5.278296 +2000：￥4.927104	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 58 毫欧 4.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 710pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7316TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF7316TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.631788 +200：￥1.566498 +500：￥1.527371 +4000：￥1.501208	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF7316TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+100：￥2.763367	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 58 毫欧 4.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 710pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7316TRPBF JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	IRF7316TRPBF JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+4000：￥0.900748 +12000：￥0.885121 +20000：￥0.861505 +32000：￥0.822377	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF7316TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF7316TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+8：￥1.545893 +4000：￥1.422259 +12000：￥1.360325 +16000：￥1.298624	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7316TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥2.42045 +8000：￥2.305217 +12000：￥2.198801	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 58 毫欧 4.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 34nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 710pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF7316TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 个 P 沟道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	58 毫欧 4.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	34nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	710pF 25V
功率 - 最大值:	2W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）