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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRFR9024NTRLPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
IRFR9024NTRLPBF
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¥7.899001

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¥6.582521

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¥5.26592

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¥4.388307

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 175 毫欧 6.6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 19 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 350 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 38W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D-Pak

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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IRFR9024NTRLPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
IRFR9024NTRLPBF
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¥2.797381

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¥2.688108

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 175 毫欧 6.6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 19 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 350 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 38W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D-Pak

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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IRFR9024NTRLPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 175 毫欧 6.6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 19 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 350 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 38W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D-Pak

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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¥2.127371

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¥1.92885

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 175 毫欧 6.6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 19 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 350 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 38W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D-Pak

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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IRFR9024NTRLPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥5.204113

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¥4.956365

+9000:

¥4.727478

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¥4.718478

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 175 毫欧 6.6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 19 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 350 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 38W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D-Pak

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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¥12.573077

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¥10.287064

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¥8.006766

+500:

¥6.786319

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¥5.528154

库存: 0

货期:7~10 天

系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: D-Pak

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¥5.528154

库存: 0

货期:7~10 天

系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: D-Pak

IRFR9024NTRLPBF_未分类
IRFR9024NTRLPBF
授权代理品牌

IRFR9024 - 20V-250V P-CHANNEL PO

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 6.6A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 38W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA

Supplier Device Package: D-Pak

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

Mouser
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IRFR9024NTRLPBF_未分类
IRFR9024NTRLPBF
授权代理品牌

MOSFET P-CH 55V 11A DPAK

未分类

+1:

¥14.372916

+10:

¥11.563666

+100:

¥9.162735

+500:

¥7.758109

+1000:

¥6.320817

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 175 毫欧 6.6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 19 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 350 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 38W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D-Pak

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 150°C(TJ)

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRFR9024NTRLPBF_未分类
IRFR9024NTRLPBF
授权代理品牌

Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

未分类

+3000:

¥3.99006

+6000:

¥3.949771

+9000:

¥3.910921

+15000:

¥3.87207

+24000:

¥3.833221

库存: 0

货期:7~10 天

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IRFR9024NTRLPBF参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: HEXFET®
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 175 毫欧 6.6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 19 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 350 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 38W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D-Pak
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
温度: -55°C # 150°C(TJ)