IRF7341TRPBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 IRF7341TRPBF 共 41 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7341TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.402865 +30：￥1.357608 +100：￥1.267103 +500：￥1.1766 +1000：￥1.131341	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 55V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 4.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 740pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7341TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	MOSFETs Dual N-Channel 60V 7A SOIC8 下载数据手册未分类	+1：￥2.052635	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7341TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+10：￥4.751428 +300：￥3.213155 +1000：￥2.358653 +4000：￥1.709125 +8000：￥1.623699	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 55V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 4.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 740pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7341TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+20：￥3.467497 +1000：￥2.942115 +4000：￥2.101528	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 55V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 4.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 740pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7341TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+5：￥2.567983	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 55V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 4.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 740pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7341TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥3.820163 +10：￥3.125588 +100：￥2.465741 +500：￥1.979539 +1000：￥1.921658	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 55V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 4.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 740pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7341TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.896768 +100：￥1.846412 +500：￥1.829626 +1000：￥1.812841	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 55V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 4.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 740pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7341TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥2.049112 +12000：￥1.956039 +20000：￥1.918764 +40000：￥1.86285	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 55V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 4.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 740pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF7341TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+100：￥3.82051 +4000：￥2.197635	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 55V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 4.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 740pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF7341TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥2.490606	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 55V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 4.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 740pF 25V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF7341TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	55V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	50 毫欧 4.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	36nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	740pF 25V
功率 - 最大值:	2W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）