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	IPG20N06S4L26ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8 下载数据手册射频晶体管	+1：￥14.520121 +10：￥9.68 +30：￥8.066707	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1430pF 25V 功率 - 最大值： 33W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IPG20N06S4L26ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8 下载数据手册射频晶体管	+1：￥7.222925 +10：￥6.053708 +30：￥5.463635	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1430pF 25V 功率 - 最大值： 33W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPG20N06S4L26ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8 下载数据手册射频晶体管	+1：￥3.592974	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1430pF 25V 功率 - 最大值： 33W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPG20N06S4L26ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8 下载数据手册未分类	+1000：￥3.887011	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1430pF 25V 功率 - 最大值： 33W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IPG20N06S4L26ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8 下载数据手册未分类	+1：￥8.999953 +10：￥8.910353 +25：￥8.714054 +50：￥8.306825 +100：￥6.949725	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1430pF 25V 功率 - 最大值： 33W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPG20N06S4L26ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1430pF 25V 功率 - 最大值： 33W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPG20N06S4L26ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8 下载数据手册射频晶体管	+5000：￥2.509169 +10000：￥2.393408	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1430pF 25V 功率 - 最大值： 33W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	IPG20N06S4L26ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8 下载数据手册射频晶体管	+5000：￥6.138092 +10000：￥5.854911	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.2V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1430pF 25V 功率 - 最大值： 33W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IPG20N06S4L26ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8 下载数据手册射频晶体管	+1：￥15.573471 +10：￥12.74453 +100：￥9.915587 +500：￥8.404532 +1000：￥6.846327	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4
	IPG20N06S4L26ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8 下载数据手册射频晶体管	+1：￥15.573471 +10：￥12.74453 +100：￥9.915587 +500：￥8.404532 +1000：￥6.846327	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-4

IPG20N06S4L26ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	20A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	26 毫欧 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.2V 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	20nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1430pF 25V
功率 - 最大值:	33W
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-PowerVDFN
供应商器件封装:	PG-TDSON-8-4
温度:	-55°C # 175°C（TJ）