IRFHM4234TRPBF厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFHM4234TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 20A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.742707 +200：￥2.28569 +500：￥1.828552 +1000：￥1.523753	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： FASTIRFET™, HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.4 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1011 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），28W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： - 封装/外壳： 8-TQFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRFHM4234TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 20A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： FASTIRFET™, HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.4 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1011 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），28W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： - 封装/外壳： 8-TQFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFHM4234TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 20A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： FASTIRFET™, HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.4 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1011 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），28W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： - 封装/外壳： 8-TQFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRFHM4234TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 20A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： FASTIRFET™, HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-TQFN Exposed Pad 供应商器件封装： -
IRFHM4234TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 20A PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： FASTIRFET™, HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-TQFN Exposed Pad 供应商器件封装： -
IRFHM4234TRPBF International 授权代理品牌	HEXFET POWER MOSFET 下载数据手册未分类	+834：￥4.88383	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： 8-TQFN Exposed Pad Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 4.4mOhm @ 30A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.8W (Ta), 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.1V @ 25µA Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1011 pF @ 13 V

Mouser

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	IRFHM4234TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 20A PQFN 下载数据手册晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： FASTIRFET™, HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.4 毫欧 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1011 pF 13 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.8W（Ta），28W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： - 封装/外壳： 8-TQFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRFHM4234TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	FASTIRFET™, HEXFET®
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	20A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4.4 毫欧 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.1V 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	17 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1011 pF 13 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.8W（Ta），28W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	-
封装/外壳:	8-TQFN 裸露焊盘
温度:	-55°C # 150°C（TJ）