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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9321TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	HEXFET功率MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.053958 +30：￥1.977885 +100：￥1.82574 +500：￥1.673595 +1000：￥1.597523	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.2 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2590 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF9321TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 15A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥4.75167 +300：￥3.213397 +1000：￥2.358774 +4000：￥1.709246 +8000：￥1.62382	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.2 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2590 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF9321TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 15A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.237382	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.2 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2590 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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IRF9321TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 15A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.94481 +10：￥1.910081 +50：￥1.875353 +100：￥1.857989 +1000：￥1.840624	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.2 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2590 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF9321TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 15A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.865122 +100：￥2.304832 +1000：￥2.03742 +2000：￥1.922816 +4000：￥1.846412	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.2 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2590 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF9321TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 15A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥2.22264	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.2 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2590 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF9321TRPBF 授权代理品牌	IRF9321TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥2.040661 +10：￥1.98961 +30：￥1.938675 +50：￥1.887624 +80：￥1.836572	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF9321TRPBF 授权代理品牌	IRF9321TRPBF BYCHIP/百域芯下载数据手册未分类	+10：￥1.972593 +500：￥1.820945 +2000：￥1.66918 +6000：￥1.517415	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF9321TRPBF 授权代理品牌	IRF9321TRPBF UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+500：￥1.250235 +1000：￥1.191891 +2000：￥1.134936	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

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	IRF9321TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 15A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥1.992512 +8000：￥1.887614 +12000：￥1.74783 +28000：￥1.730533	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.2 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2590 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF9321TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	15A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	7.2 毫欧 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.4V 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	98 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2590 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SO
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF9321TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 15A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.94481 +10：￥1.910081 +50：￥1.875353 +100：￥1.857989 +1000：￥1.840624	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.2 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2590 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF9321TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 15A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.865122 +100：￥2.304832 +1000：￥2.03742 +2000：￥1.922816 +4000：￥1.846412	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.2 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2590 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF9321TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 15A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥2.22264	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.2 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 98 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2590 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF9321TRPBF 授权代理品牌	IRF9321TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥2.040661 +10：￥1.98961 +30：￥1.938675 +50：￥1.887624 +80：￥1.836572	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF9321TRPBF 授权代理品牌	IRF9321TRPBF BYCHIP/百域芯下载数据手册未分类	+10：￥1.972593 +500：￥1.820945 +2000：￥1.66918 +6000：￥1.517415	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
IRF9321TRPBF 授权代理品牌	IRF9321TRPBF UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+500：￥1.250235 +1000：￥1.191891 +2000：￥1.134936	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数