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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6898MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 35A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.53776 +200：￥7.1148 +500：￥5.69184 +1000：￥4.7432	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Ta），213A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.1 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 62 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5435 pF 13 V FET 功能：肖特基二极管（体）功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），78W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MX 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MX 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6898MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 35A DIRECTFET 下载数据手册	+1：￥8.497809 +200：￥3.28879 +500：￥3.172091 +1000：￥3.119046	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Ta），213A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.1 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 62 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5435 pF 13 V FET 功能：肖特基二极管（体）功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），78W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MX 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MX 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF6898MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 35A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4800：￥6.523546	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Ta），213A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.1 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 62 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5435 pF 13 V FET 功能：肖特基二极管（体）功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），78W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MX 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MX 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IRF6898MTRPBF International 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 40A/214A DIRECT 下载数据手册	+4800：￥6.523546	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： International Rectifier 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 40A (Ta), 214A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.1mOhm 40A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 68 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5630 pF 13 V FET 功能： Schottky Diode (Body) 功率耗散（最大值）： 2.8W (Ta), 78W (Tc) 工作温度： -40°C ~ 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： DirectFET™ Isometric MX 封装/外壳： DirectFET™ Isometric MX 温度： -40°C ~ 150°C (TJ)
IRF6898MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	IRF6898 - 12V-300V N-CHANNEL POW 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4800：￥6.523546	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Ta），213A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.1 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 62 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5435 pF 13 V FET 功能：肖特基二极管（体）功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），78W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MX 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MX 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6898MTRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 25V 35A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4800：￥15.958321	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 25 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Ta），213A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.1 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 62 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5435 pF 13 V FET 功能：肖特基二极管（体）功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），78W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ MX 封装/外壳： DirectFET™ 等容 MX 温度： -40°C # 150°C（TJ）

IRF6898MTRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	35A（Ta），213A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.1 毫欧 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.1V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	62 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5435 pF 13 V
FET 功能:	肖特基二极管（体）
功率耗散（最大值）:	2.1W（Ta），78W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	DIRECTFET™ MX
封装/外壳:	DirectFET™ 等容 MX
温度:	-40°C # 150°C（TJ）