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	IRFR7446TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 56A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.756736 +10：￥4.363618 +30：￥4.284999 +100：￥4.04913	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.9 毫欧 56A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3150 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 98W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR7446TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 56A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥8.57769 +200：￥5.80074 +500：￥4.25799 +2000：￥3.0855 +4000：￥2.931225	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.9 毫欧 56A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3150 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 98W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IRFR7446TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 56A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥4.749492 +100：￥4.029905 +2000：￥2.878469	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.9 毫欧 56A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3150 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 98W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	IRFR7446TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 56A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥7.192901 +10：￥6.344181 +30：￥5.877385 +100：￥5.442416 +500：￥5.155973	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.9 毫欧 56A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3150 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 98W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRFR7446TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 56A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.420018	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.9 毫欧 56A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3150 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 98W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IRFR7446TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 56A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥2.743781 +6000：￥2.494341 +10000：￥2.379206	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.9 毫欧 56A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3150 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 98W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRFR7446TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 56A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥6.712016 +6000：￥6.101819 +10000：￥5.820168	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.9 毫欧 56A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3150 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 98W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IRFR7446TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 56A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.442622 +10：￥13.84169 +25：￥13.141813 +100：￥9.85636 +250：￥9.763138	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-Pak
IRFR7446TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 56A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： D-Pak

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFR7446TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 56A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥20.185216 +10：￥18.05182 +100：￥14.031188 +500：￥11.372647 +1000：￥9.89568	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET®, StrongIRFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 56A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.9 毫欧 56A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3150 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 98W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D-Pak 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

IRFR7446TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®, StrongIRFET™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	56A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.9 毫欧 56A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.9V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	130 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3150 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	98W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D-Pak
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）