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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9388TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.877525 +30：￥2.7783 +100：￥2.57985 +500：￥2.3814 +1000：￥2.282175	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V，20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.5 毫欧 12A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1680 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9388TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥9.502735 +300：￥6.42631 +1000：￥4.717185 +4000：￥3.41825 +8000：￥3.247398	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V，20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.5 毫欧 12A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1680 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9388TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥6.676562 +10：￥5.354362 +30：￥4.687799 +100：￥4.032163 +500：￥3.485799	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V，20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.5 毫欧 12A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1680 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9388TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.37953	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V，20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.5 毫欧 12A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1680 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9388TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥2.6027	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V，20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.5 毫欧 12A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1680 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF9388TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+4000：￥3.890903 +8000：￥3.601299 +12000：￥3.453668 +20000：￥3.379165	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V，20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.5 毫欧 12A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1680 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
IRF9388TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.462799 +10：￥8.796716 +100：￥6.16841 +500：￥5.027744 +1000：￥4.578118	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
IRF9388TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.462799 +10：￥8.796716 +100：￥6.16841 +500：￥5.027744 +1000：￥4.578118	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9388TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC 下载数据手册晶体管	+1：￥13.92963 +10：￥9.452249 +25：￥9.435666 +100：￥6.467328 +500：￥5.289944	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V，20V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.5 毫欧 12A，20V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1680 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9388TRPBF Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOIC T/R 下载数据手册未分类	+1：￥4.59689 +10：￥4.165063 +25：￥4.123272 +100：￥3.734781 +250：￥3.697634	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRF9388TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	12A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	8.5 毫欧 12A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.4V 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	52 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1680 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SO
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）