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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRFH4201TRPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥25.562015

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 25 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 49A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 0.95 毫欧 50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 150µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 94 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6100 pF 13 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.5W(Ta),156W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)

封装/外壳: 8-PowerVDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRFH4201TRPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥8.331532

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¥7.984325

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 25 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 49A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 0.95 毫欧 50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 150µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 94 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6100 pF 13 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.5W(Ta),156W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)

封装/外壳: 8-PowerVDFN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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货期:7~10 天

系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: 8-PQFN (5x6)

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货期:7~10 天

系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerVDFN

供应商器件封装: 8-PQFN (5x6)

IRFH4201TRPBF参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: HEXFET®
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 49A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 0.95 毫欧 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.1V 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 94 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6100 pF 13 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.5W(Ta),156W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)
封装/外壳: 8-PowerVDFN
温度: -55°C # 150°C(TJ)