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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRF7103TRPBF_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC

射频晶体管

+1:

¥1.70005

+10:

¥1.59115

+50:

¥1.4278

+150:

¥1.3189

+300:

¥1.24267

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 50V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 130 毫欧 3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 290pF 25V

功率 - 最大值: 2W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SO

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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IRF7103TRPBF_射频晶体管
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MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC

射频晶体管

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¥7.07688

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¥5.241744

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¥4.04568

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¥3.467664

+1000:

¥3.148704

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 50V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 130 毫欧 3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 290pF 25V

功率 - 最大值: 2W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SO

温度: -55°C # 150°C(TJ)

IRF7103TRPBF_射频晶体管
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MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC

射频晶体管

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¥4.251888

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¥3.607632

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¥2.57688

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 50V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 130 毫欧 3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 290pF 25V

功率 - 最大值: 2W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SO

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IRF7103TRPBF_射频晶体管
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MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC

射频晶体管

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¥2.31231

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品牌: Infineon Technologies

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系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 50V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 130 毫欧 3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 290pF 25V

功率 - 最大值: 2W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SO

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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IRF7103TRPBF
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射频晶体管

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¥1.364344

库存: 1000 +

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品牌: Infineon Technologies

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系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 50V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 130 毫欧 3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 290pF 25V

功率 - 最大值: 2W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SO

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC

射频晶体管

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¥1.287613

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¥1.254323

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¥1.232167

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国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

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系列: HEXFET®

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FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 50V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 130 毫欧 3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 290pF 25V

功率 - 最大值: 2W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SO

温度: -55°C # 150°C(TJ)

IRF7103TRPBF_射频晶体管
IRF7103TRPBF
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射频晶体管

+1:

¥1.332036

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¥1.298746

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¥1.265456

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¥1.243191

库存: 1000 +

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品牌: Infineon Technologies

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系列: HEXFET®

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 50V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 130 毫欧 3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 290pF 25V

功率 - 最大值: 2W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SO

温度: -55°C # 150°C(TJ)

IRF7103TRPBF_未分类
IRF7103TRPBF
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IRF7103TRPBF 英飞凌/INFINEON

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¥2.760013

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¥2.634602

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¥2.584394

+40000:

¥2.509192

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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IRF7103TRPBF
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IRF7103TRPBF 英飞凌/INFINEON

未分类

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¥1.48004

+30:

¥1.455372

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¥1.418372

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自营 国内现货
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射频晶体管

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¥6.492112

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¥2.747305

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¥2.609937

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¥2.511814

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品牌: Infineon Technologies

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系列: HEXFET®

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FET 类型: 2 N-通道(双)

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漏源电压(Vdss): 50V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 130 毫欧 3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 290pF 25V

功率 - 最大值: 2W

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安装类型: 表面贴装型

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供应商器件封装: 8-SO

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IRF7103TRPBF参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: HEXFET®
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 50V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 130 毫欧 3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 290pF 25V
功率 - 最大值: 2W
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SO
温度: -55°C # 150°C(TJ)