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自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFA18N60X IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 18A TO-263AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥37.232604	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 230 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1440 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 320W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（IXFA）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFA18N60X IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 18A TO-263AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥64.337815	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 230 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1440 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 320W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（IXFA）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFA18N60X IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 18A TO-263AA 下载数据手册未分类	+300：￥101.931192	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Ultra X 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 230 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1440 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 320W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-263（IXFA）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IXFA18N60X参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Ultra X
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	230 毫欧 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 1.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	35 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1440 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	320W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-263（IXFA）
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 150°C（TJ）