类型： N沟道

漏源电压(Vdss)： 400V

连续漏极电流(Id)： 10A

功率(Pd)： 134W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 550mΩ@10V,5A

阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA

品牌： Vishay Siliconix

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 400 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 125W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-220AB

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Vishay Siliconix

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 400 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 63 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 125W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-220AB

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： STMicroelectronics

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： PowerMESH™ II

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 400 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 550 毫欧 5.3A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 43 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1400 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 125W（Tc）

工作温度： -65°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-220

封装/外壳： TO-220-3

温度： -65°C # 150°C（TJ）