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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRF7201PBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
IRF7201PBF
授权代理品牌
+1:

¥1.329084

+200:

¥0.514347

+500:

¥0.496317

+1000:

¥0.487356

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SO

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRF7201PBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥2.97862

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SO

IRF7201PBF_未分类
IRF7201PBF
授权代理品牌

HEXFET POWER MOSFET

未分类

+1:

¥2.97862

库存: 1000 +

国内:1~2 天

Packaging: Bulk

Package / Case: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -55°C # 150°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA

Supplier Device Package: 8-SO

Part Status: Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRF7201PBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
+1389:

¥2.224085

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 管件,管件

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: Digi-Key 停止提供

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.3A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 30 毫欧 7.3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 28 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 550 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-SO

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

IRF7201PBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SO

IRF7201PBF_未分类
IRF7201PBF
授权代理品牌

HEXFET POWER MOSFET

未分类

+1:

¥12.060925

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -55°C # 150°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA

Supplier Device Package: 8-SO

Part Status: Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRF7201PBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
IRF7201PBF
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

系列: HEXFET®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SO

IRF7201PBF参数规格

属性 参数值
系列: HEXFET®
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)
供应商器件封装: 8-SO