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	IXTQ82N25P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 82A TO3P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.21865 +10：￥22.3587 +100：￥19.77885 +500：￥19.26288	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 82A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 41A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 142 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IXTQ82N25P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 82A TO3P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.665174 +10：￥22.788687 +100：￥20.159213 +500：￥19.63332	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 82A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 41A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 142 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IXTQ82N25P Littelfuse(力特) 授权代理品牌	场效应管(MOSFET) IXTQ82N25P TO-3P 下载数据手册未分类	+1：￥35.2352 +10：￥32.886106 +100：￥30.537133 +500：￥23.490093	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营现货库存

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	IXTQ82N25P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 82A TO3P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥30.399665 +10：￥28.990047 +30：￥28.148648 +90：￥27.29632 +450：￥26.913866	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 82A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 41A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 142 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IXTQ82N25P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 82A TO3P 下载数据手册未分类	+1：￥77.127708	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 82A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 41A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 142 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IXTQ82N25P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 82A TO3P 下载数据手册未分类	+1：￥85.679877 +10：￥77.430589 +100：￥63.790895 +500：￥55.548534 +1000：￥48.380837	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 82A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 41A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 142 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IXTQ82N25P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 82A TO3P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥133.793667 +3：￥129.905205 +10：￥125.872618 +25：￥122.128164 +100：￥118.383595	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 82A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 41A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 142 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IXTQ82N25P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 82A TO3P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+450：￥26.420244 +900：￥25.956731 +1350：￥25.493218	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 82A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 41A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 142 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IXTQ82N25P Zilog 授权代理品牌	IXTQ82N25P 美国力特下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	封装/外壳： TO-3P-3,SC-65-3 Rds OnMax@Id,Vgs： 38mΩ@10V,41A Pd-功率耗散Max： 500W

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTQ82N25P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 82A TO3P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥54.902749 +10：￥49.616682 +100：￥41.077875 +500：￥35.77022 +1000：￥31.154656	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 82A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 41A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 142 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IXTQ82N25P参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	Polar
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	82A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	35 毫欧 41A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	142 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4800 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	500W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-3P
封装/外壳:	TO-3P-3，SC-65-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IXTQ82N25P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 82A TO3P 下载数据手册未分类	+1：￥77.127708	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 82A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 41A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 142 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IXTQ82N25P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 82A TO3P 下载数据手册未分类	+1：￥85.679877 +10：￥77.430589 +100：￥63.790895 +500：￥55.548534 +1000：￥48.380837	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 82A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 41A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 142 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IXTQ82N25P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 82A TO3P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥133.793667 +3：￥129.905205 +10：￥125.872618 +25：￥122.128164 +100：￥118.383595	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 82A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 41A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 142 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
IXTQ82N25P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 82A TO3P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+450：￥26.420244 +900：￥25.956731 +1350：￥25.493218	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 82A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 毫欧 41A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 142 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-3P 封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）