搜索 IXTQ82N25P 共 11 条相关记录
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IXTQ82N25P 授权代理品牌 | +1: ¥77.127708 | ||||
IXTQ82N25P 授权代理品牌 | +1: ¥85.679877 +10: ¥77.430589 +100: ¥63.790895 +500: ¥55.548534 +1000: ¥48.380837 | ||||
IXTQ82N25P 授权代理品牌 | +1: ¥133.793667 +3: ¥129.905205 +10: ¥125.872618 +25: ¥122.128164 +100: ¥118.383595 | ||||
IXTQ82N25P 授权代理品牌 | +450: ¥26.420244 +900: ¥25.956731 +1350: ¥25.493218 |
自营 国内现货
Digi-Key
IXTQ82N25P参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | IXYS |
包装: | 管件 |
封装/外壳: | * |
系列: | Polar |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 250 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 82A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 35 毫欧 41A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 5V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 142 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 4800 pF 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 500W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-3P |
封装/外壳: | TO-3P-3,SC-65-3 |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |