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IXRFSM12N100参数规格
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | IXYS-RF |
包装: | 管件 |
封装/外壳: | * |
系列: | SMPD |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 1000 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 12A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 15V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 1.05 欧姆 6A,15V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 5.5V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 77 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 2875 pF 800 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 940W |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 16-SMPD |
封装/外壳: | 16-BESOP(0.790,20.11mm 宽)15 引线,裸露焊盘 |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |