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自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH30N50P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 30A TO247AD 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥69.072072 +10：￥62.418082 +100：￥51.674631 +500：￥44.997712 +1000：￥39.587371	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 70 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4150 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 460W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH30N50P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 30A TO247AD 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥119.356308 +10：￥107.858237 +100：￥89.29359 +500：￥77.755895 +1000：￥68.406844	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 70 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4150 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 460W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH30N50P IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 30A TO247AD 下载数据手册未分类	+1：￥135.265446 +10：￥122.179685 +30：￥116.532146 +120：￥101.104722 +510：￥88.018961	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： HiPerFET™, Polar 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 4mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 70 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4150 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 460W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247AD（IXFH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXFH30N50P 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD 下载数据手册未分类	+1：￥125.340253 +10：￥112.326956 +25：￥102.791294 +50：￥101.586238 +100：￥90.077952	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXFH30N50P参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	HiPerFET™, Polar
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	200 毫欧 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	70 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4150 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	460W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247AD（IXFH）
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）