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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IPLK70R600P7ATMA1_晶体管-FET,MOSFET-单个
IPLK70R600P7ATMA1
授权代理品牌
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¥5.440281

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: CoolMOS™ P7

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 700 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): -

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): -

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): -

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

Vgs(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -

FET 功能: -

功率耗散(最大值): -

工作温度: -

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PG-TDSON-8

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: -

Digi-Key
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IPLK70R600P7ATMA1_晶体管-FET,MOSFET-单个
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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: CoolMOS™ P7

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 700 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): -

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不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): -

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -

FET 功能: -

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安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PG-TDSON-8

封装/外壳: 8-PowerTDFN

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Mouser
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IPLK70R600P7ATMA1_晶体管
IPLK70R600P7ATMA1
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货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: CoolMOS™ P7

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 700 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): -

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): -

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): -

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -

FET 功能: -

功率耗散(最大值): -

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安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PG-TDSON-8

封装/外壳: 8-PowerTDFN

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IPLK70R600P7ATMA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: CoolMOS™ P7
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): -
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -
Vgs(最大值): -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -
FET 功能: -
功率耗散(最大值): -
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安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TDSON-8
封装/外壳: 8-PowerTDFN
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