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IXTA3N150HV-TRL_晶体管-FET,MOSFET-单个
IXTA3N150HV-TRL
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¥22.633771

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: IXYS

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 1500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.3 欧姆 1.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 38.6 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1375 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 250W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-263HV

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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IXTA3N150HV-TRL_晶体管-FET,MOSFET-单个
IXTA3N150HV-TRL
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: IXYS

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 1500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.3 欧姆 1.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 38.6 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1375 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 250W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-263HV

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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IXTA3N150HV-TRL_晶体管-FET,MOSFET-单个
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货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 1500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.3 欧姆 1.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 38.6 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1375 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 250W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-263HV

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
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IXTA3N150HV-TRL_未分类
IXTA3N150HV-TRL
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MOSFET N-CH 1500V 3A TO263HV

未分类

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品牌: IXYS

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

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零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 1500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.3 欧姆 1.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 38.6 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1375 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 250W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-263HV

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 150°C(TJ)

艾睿
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IXTA3N150HV-TRL_未分类
IXTA3N150HV-TRL
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Trans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R

未分类

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¥95.843461

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¥94.962992

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¥94.069763

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¥93.176534

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¥92.283305

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货期:7~10 天

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IXTA3N150HV-TRL参数规格

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 1500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.3 欧姆 1.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 38.6 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1375 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 250W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263HV
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
温度: -55°C # 150°C(TJ)