IPD35N10S3L26ATMA1厂家价格_数据手册

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	IPD35N10S3L26ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥24.160194 +10：￥21.198904 +30：￥19.439613	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 39µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 71W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPD35N10S3L26ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.075224	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 39µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 71W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPD35N10S3L26ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 39µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 71W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPD35N10S3L26ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥4.833212 +5000：￥4.603056 +12500：￥4.390632	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 39µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 71W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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IPD35N10S3L26ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥8.351774 +5000：￥7.954067 +12500：￥7.586998	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 39µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 71W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPD35N10S3L26ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.218262 +10：￥16.526232 +100：￥12.849271 +500：￥10.890988 +1000：￥8.871799	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3-11
IPD35N10S3L26ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.218262 +10：￥16.526232 +100：￥12.849271 +500：￥10.890988 +1000：￥8.871799	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3-11

Mouser

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	IPD35N10S3L26ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3 下载数据手册未分类	+1：￥25.438867 +10：￥21.252725 +100：￥16.583566 +500：￥13.975277 +1000：￥11.383087	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 35A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 39µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2700 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 71W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3-11 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

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	IPD35N10S3L26ATMA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+1：￥20.920739 +10：￥18.843698 +25：￥18.656489 +100：￥15.228002 +250：￥14.905514	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPD35N10S3L26ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	24 毫欧 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.4V 39µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	39 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2700 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	71W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO252-3-11
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）