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IPB80P04P405ATMA1_晶体管-FET,MOSFET-单个
IPB80P04P405ATMA1
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

零件状态: 不适用于新设计

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 80A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.9 毫欧 80A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 151 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 10300 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 125W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PG-TO263-3-2

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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IPB80P04P405ATMA1_晶体管-FET,MOSFET-单个
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品牌: Infineon Technologies

包装: 卷带(TR)

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系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

零件状态: 不适用于新设计

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 80A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.9 毫欧 80A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 151 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 10300 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 125W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PG-TO263-3-2

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

零件状态: 不适用于新设计

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 80A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.9 毫欧 80A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 151 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

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工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

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温度: -55°C # 175°C(TJ)

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国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

零件状态: 不适用于新设计

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 80A(Tc)

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不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.9 毫欧 80A,10V

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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 10300 pF 25 V

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功率耗散(最大值): 125W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PG-TO263-3-2

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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货期:7~10 天

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包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

零件状态: 不适用于新设计

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 80A(Tc)

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功率耗散(最大值): 125W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

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封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

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IPB80P04P405ATMA1_未分类
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MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3

未分类

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货期:7~10 天

Packaging: Tape & Reel (TR)

Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 125W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA

Supplier Device Package: PG-TO263-3-2

Grade: Automotive

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V

Qualification: AEC-Q101

Mouser
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IPB80P04P405ATMA1_未分类
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MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3

未分类

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

零件状态: 不适用于新设计

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 80A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.9 毫欧 80A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 151 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 10300 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 125W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PG-TO263-3-2

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 175°C(TJ)

IPB80P04P405ATMA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
零件状态: 不适用于新设计
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.9 毫欧 80A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 151 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 10300 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 125W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-3-2
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
温度: -55°C # 175°C(TJ)