IPA052N08NM5SXKSA1厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 IPA052N08NM5SXKSA1 共 4 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA052N08NM5SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	TRENCH 40<-<100V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥53.694839 +200：￥44.7458 +500：￥35.79664 +1000：￥29.830493	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.2毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 65µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3800 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 38W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA052N08NM5SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	TRENCH 40<-<100V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.655771	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.2毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 65µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3800 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 38W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA052N08NM5SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	TRENCH 40<-<100V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥38.093601 +10：￥26.068875 +100：￥18.727061 +500：￥15.478548 +1000：￥14.420342	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.2毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 65µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3800 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 38W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPA052N08NM5SXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	TRENCH 40<-<100V 下载数据手册未分类	+1：￥37.974825 +10：￥28.688405 +100：￥22.055248 +500：￥18.075354 +1000：￥15.621086	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： OptiMOS™5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 64A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.2毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 65µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3800 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 38W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO220 整包封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 175°C（TJ）

IPA052N08NM5SXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™5
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	64A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	5.2毫欧 32A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.8V 65µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	56 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3800 pF 40 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	38W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO220 整包
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-55°C # 175°C（TJ）