IPW80R290C3AXKSA1厂家价格_数据手册

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	IPW80R290C3AXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	AUTOMOTIVE 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 290 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 117 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2300 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 227W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	IPW80R290C3AXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	AUTOMOTIVE 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+240：￥61.448606	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 290 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 117 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2300 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 227W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -40°C # 150°C（TJ）
	IPW80R290C3AXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥112.794079 +10：￥101.861375 +100：￥84.333221 +500：￥73.435879 +1000：￥63.96037	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-247-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -40°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 290mOhm @ 11A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.9V @ 1mA Supplier Device Package： PG-TO247-3 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2300 pF @ 100 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPW80R290C3AXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	AUTOMOTIVE 下载数据手册晶体管	+240：￥100.704163	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 17A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 290 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.9V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 117 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2300 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 227W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -40°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPW80R290C3AXKSA1 授权代理品牌	CoolMOS Power Transistor 下载数据手册未分类	+240：￥93.686951 +250：￥92.755441 +500：￥91.823931 +1000：￥90.905181 +2000：￥89.999191	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPW80R290C3AXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	290 毫欧 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.9V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	117 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2300 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	227W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO247-3
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-40°C # 150°C（TJ）