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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IPB65R600C6ATMA1_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: CoolMOS™

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.3A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 600 毫欧 2.1A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 210µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 23 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 440 pF 100 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 63W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PG-TO263-3

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 150°C(TJ)

IPB65R600C6ATMA1_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

系列: CoolMOS™

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: D²PAK (TO-263AB)

IPB65R600C6ATMA1_晶体管-FET,MOSFET-单个
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库存: 0

货期:7~10 天

系列: CoolMOS™

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: D²PAK (TO-263AB)

IPB65R600C6ATMA1_未分类
IPB65R600C6ATMA1
授权代理品牌

IPB65R600 - 650V AND 700V COOLMO

未分类

+361:

¥10.08816

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -55°C # 150°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 63W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA

Supplier Device Package: PG-TO263-3

Part Status: Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V

IPB65R600C6ATMA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: CoolMOS™
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.3A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 600 毫欧 2.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 210µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 23 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 440 pF 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 63W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-3
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
温度: -55°C # 150°C(TJ)