IPD60R210CFD7ATMA1厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD60R210CFD7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	LOW POWER_NEW 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥49.425959 +10：￥32.95072 +30：￥27.458893	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： - 工作温度： - 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： -

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD60R210CFD7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	LOW POWER_NEW 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.472086 +10：￥18.718414 +30：￥17.079323	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： - 工作温度： - 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： -

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD60R210CFD7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	LOW POWER_NEW 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.2296	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： - 工作温度： - 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： -

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD60R210CFD7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥6.449762	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： - 工作温度： - 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： -

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD60R210CFD7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	LOW POWER_NEW 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥15.777828	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： - 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： -
	IPD60R210CFD7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 下载数据手册未分类	+2500：￥19.339077 +5000：￥18.612027	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab) Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 210mOhm @ 4.9A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 240µA Supplier Device Package： DPAK (TO-252) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1015 pF @ 400 V
	IPD60R210CFD7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 下载数据手册未分类	+1：￥38.547284 +10：￥34.610248 +100：￥28.354888 +500：￥24.137459 +1000：￥20.356807	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab) Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 210mOhm @ 4.9A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 240µA Supplier Device Package： DPAK (TO-252) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1015 pF @ 400 V
	IPD60R210CFD7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N CH 下载数据手册未分类	+1：￥38.547284 +10：￥34.610248 +100：￥28.354888 +500：￥24.137459 +1000：￥20.356807	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab) Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 210mOhm @ 4.9A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 240µA Supplier Device Package： DPAK (TO-252) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1015 pF @ 400 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD60R210CFD7ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	LOW POWER_NEW 下载数据手册晶体管	+1：￥45.584628 +10：￥41.042388 +100：￥33.580135 +500：￥28.551226 +1000：￥24.171209	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： - 安装类型： - 封装/外壳： - 供应商器件封装： -

IPD60R210CFD7ATMA1参数规格

属性	参数值
系列:	-
工作温度:	-
安装类型:	-
封装/外壳:	-
供应商器件封装:	-