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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF8313TRPBF TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥1.466325 +30：￥1.413956 +100：￥1.361588 +500：￥1.25685 +1000：￥1.204481	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF8313TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+10：￥11.899503 +300：￥8.047105 +1000：￥5.906978 +4000：￥4.280375 +8000：￥4.066326	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.5 毫欧 9.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 760pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IRF8313TRPBF 台舟电子(TECH PUBLIC) 授权代理品牌	场效应管(MOSFET) IRF8313TRPBF SOP-8 下载数据手册未分类	+1：￥2.860924 +30：￥2.57488 +100：￥2.289078 +500：￥2.145693 +1000：￥1.859649	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF8313TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO 下载数据手册未分类	+1：￥6.818616 +10：￥5.736817 +30：￥5.201381 +100：￥4.665944	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.5 毫欧 9.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 760pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF8313TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.49018	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.5 毫欧 9.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 760pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IRF8313TRPBF VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	IRF8313TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥2.286737 +10：￥2.197464 +30：￥2.161734 +100：￥2.126003 +500：￥2.036625	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF8313TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO 下载数据手册未分类	+4000：￥2.157259	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.5 毫欧 9.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 760pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IRF8313TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO 下载数据手册未分类	+18：￥9.267976 +100：￥7.111166 +500：￥5.62648 +1000：￥4.688676 +4000：￥4.594942	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.5 毫欧 9.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 760pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF8313TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥2.183375	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：不适用于新设计 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.5 毫欧 9.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 760pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IRF8313TRPBF International 授权代理品牌	IRF8313 - HEXFET POWER MOSFET 下载数据手册未分类	+4000：￥2.183375	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： International Rectifier 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.5mOhm 9.7A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.35V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 760pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 175°C (TJ)

IRF8313TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	不适用于新设计
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9.7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	15.5 毫欧 9.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.35V 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	9nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	760pF 15V
功率 - 最大值:	2W
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 175°C（TJ）