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IXFA8N85XHV_未分类
IXFA8N85XHV
授权代理品牌
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¥101.033538

+200:

¥40.310699

+500:

¥38.966645

+1000:

¥38.300081

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
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IXFA8N85XHV_未分类
IXFA8N85XHV
授权代理品牌

MOSFET N-CH 850V 8A TO263HV

未分类

+1000:

¥35.025142

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Ultra X

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 850 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 850 毫欧 4A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 17 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 654 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 200W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-263(IXFA)

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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IXFA8N85XHV_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+300:

¥69.213556

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Ultra X

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 850 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 850 毫欧 4A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 17 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 654 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 200W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-263(IXFA)

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
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IXFA8N85XHV_未分类
IXFA8N85XHV
授权代理品牌

MOSFET N-CH 850V 8A TO263HV

未分类

+300:

¥79.455964

+500:

¥75.510377

+1000:

¥71.836899

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: HiPerFET™, Ultra X

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 850 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 850 毫欧 4A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 17 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 654 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 200W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-263(IXFA)

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 150°C(TJ)

IXFA8N85XHV参数规格

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: HiPerFET™, Ultra X
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 850 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 850 毫欧 4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 17 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 654 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 200W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263(IXFA)
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
温度: -55°C # 150°C(TJ)