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搜索 IRFR9120TRPBF26 条相关记录
自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRFR9120TRPBF_未分类
IRFR9120TRPBF
授权代理品牌

MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK

未分类

+1:

¥7.146435

+10:

¥6.141126

+30:

¥5.594762

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.6A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 600 毫欧 3.4A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 18 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 390 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),42W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D-Pak

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 150°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRFR9120TRPBF_未分类
IRFR9120TRPBF
授权代理品牌

IRFR9120TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体

未分类

+1:

¥2.040661

+5:

¥1.98961

+10:

¥1.938675

+30:

¥1.887624

+50:

¥1.853589

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
IRFR9120TRPBF_未分类
IRFR9120TRPBF
授权代理品牌

IRFR9120TRPBF UDU SEMICONDUTOR

未分类

+500:

¥1.139103

+1000:

¥1.097081

+1500:

¥1.055754

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
IRFR9120TRPBF_未分类
IRFR9120TRPBF
授权代理品牌

IRFR9120TRPBF VBSEMI/台湾微碧半导体

未分类

+10:

¥2.087754

+2500:

¥2.000777

+7500:

¥1.913801

+10000:

¥1.77464

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
IRFR9120TRPBF_未分类
IRFR9120TRPBF
授权代理品牌

IRFR9120TRPBF JSMICRO/深圳杰盛微

未分类

+50:

¥1.148302

+2500:

¥1.12745

+7500:

¥1.096117

+20000:

¥1.064676

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
IRFR9120TRPBF_未分类
IRFR9120TRPBF
授权代理品牌

IRFR9120TRPBF BYCHIP/百域芯

未分类

+10:

¥1.775334

+500:

¥1.638849

+2000:

¥1.50225

+6000:

¥1.36565

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
IRFR9120TRPBF_未分类
IRFR9120TRPBF
授权代理品牌

IRFR9120TRPBF VBSEMI/微碧半导体

未分类

+6:

¥2.354609

+30:

¥2.276123

+100:

¥2.178072

+2500:

¥2.119149

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
IRFR9120TRPBF_未分类
IRFR9120TRPBF
授权代理品牌

IRFR9120TRPBF UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体

未分类

+500:

¥1.139103

+1000:

¥1.097081

+1500:

¥1.055754

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRFR9120TRPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
IRFR9120TRPBF
授权代理品牌

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.6A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 600 毫欧 3.4A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 18 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 390 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),42W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D-Pak

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRFR9120TRPBF_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥9.275636

+10:

¥8.314737

+100:

¥6.483362

+500:

¥5.3556

+1000:

¥4.228082

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.6A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 600 毫欧 3.4A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 18 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 390 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),42W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D-Pak

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 150°C(TJ)

IRFR9120TRPBF参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay Siliconix
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 600 毫欧 3.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 18 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 390 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),42W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D-Pak
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
温度: -55°C # 150°C(TJ)