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Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH44P15T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 150V 44A TO-247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥98.106802 +10：￥88.642091 +100：￥73.38982 +500：￥63.906821 +1000：￥56.222982	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： TrenchP™ 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 65 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 175 nC 10 V Vgs（最大值）： ±15V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 298W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH44P15T IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 150V 44A TO-247 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：管件封装/外壳： * 系列： TrenchP™ 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 44A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 65 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 175 nC 10 V Vgs（最大值）： ±15V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13400 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 298W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247（IXTH）封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IXTH44P15T 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 下载数据手册未分类	+300：￥56.032768 +500：￥52.78449	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IXTH44P15T参数规格

属性	参数值
品牌:	IXYS
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	TrenchP™
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	44A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	65 毫欧 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	175 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	13400 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	298W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247（IXTH）
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）