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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRF7807ZTR_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 13.8 毫欧 11A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.25V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 770 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-SO

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IRF7807ZTR_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: HEXFET®

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 13.8 毫欧 11A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.25V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 770 pF 15 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-SO

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

IRF7807ZTR参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: HEXFET®
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 13.8 毫欧 11A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.25V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11 nC 4.5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 770 pF 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.5W(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SO
封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
温度: -55°C # 150°C(TJ)