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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IPB60R055CFD7ATMA1_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥69.343285

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: CoolMOS™ CFD7

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 38A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 55 毫欧 18A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 900µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 79 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3194 pF 400 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 178W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PG-TO263-3-2

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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IPB60R055CFD7ATMA1_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥55.78716

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¥50.390957

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¥41.720945

+500:

¥36.330109

+1000:

¥31.642379

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: CoolMOS™ CFD7

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 38A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 55 毫欧 18A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 900µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 79 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3194 pF 400 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 178W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PG-TO263-3-2

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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IPB60R055CFD7ATMA1_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥54.665836

+2000:

¥52.641206

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: CoolMOS™ CFD7

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 38A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 55 毫欧 18A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 900µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 79 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3194 pF 400 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 178W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PG-TO263-3-2

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 150°C(TJ)

IPB60R055CFD7ATMA1_未分类
IPB60R055CFD7ATMA1
授权代理品牌

MOSFET N-CH 600V 38A TO263-3

未分类

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¥96.383465

+10:

¥87.057151

+100:

¥72.078422

+500:

¥62.76459

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Cut Tape (CT)

Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 18A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 178W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA

Supplier Device Package: PG-TO263-3-2

Part Status: Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3194 pF @ 400 V

IPB60R055CFD7ATMA1_未分类
IPB60R055CFD7ATMA1
授权代理品牌

MOSFET N-CH 600V 38A TO263-3

未分类

+1:

¥96.383465

+10:

¥87.057151

+100:

¥72.078422

+500:

¥62.76459

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Digi-Reel®

Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 18A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 178W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA

Supplier Device Package: PG-TO263-3-2

Part Status: Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3194 pF @ 400 V

Mouser
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IPB60R055CFD7ATMA1_晶体管
IPB60R055CFD7ATMA1
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¥110.684428

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¥94.872367

+25:

¥86.017615

+100:

¥79.060306

+250:

¥74.316688

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Infineon Technologies

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: CoolMOS™ CFD7

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 38A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 55 毫欧 18A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 900µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 79 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3194 pF 400 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 178W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: PG-TO263-3-2

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 150°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
IPB60R055CFD7ATMA1_未分类
IPB60R055CFD7ATMA1
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场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 38A, 150度 C, 178W

未分类

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¥75.494646

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¥64.689955

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¥61.373166

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¥53.897827

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¥52.138922

库存: 0

货期:7~10 天

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MOSFET, N-CH, 600V, 38A, 150DEG C, 178W

未分类

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¥79.738831

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¥72.031956

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¥59.637975

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¥51.931099

库存: 0

货期:7~10 天

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IPB60R055CFD7ATMA1_未分类
IPB60R055CFD7ATMA1
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Infineon N沟道增强型MOS管 IPA60R系列, Vds=600 V, 38 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚

未分类

+1000:

¥41.56377

+5000:

¥40.317373

库存: 0

货期:7~10 天

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IPB60R055CFD7ATMA1_未分类
IPB60R055CFD7ATMA1
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Infineon N沟道增强型MOS管 IPA60R系列, Vds=600 V, 38 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚

未分类

+2:

¥57.77496

+250:

¥57.195375

+500:

¥54.337613

库存: 0

货期:7~10 天

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IPB60R055CFD7ATMA1参数规格

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: CoolMOS™ CFD7
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 38A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 55 毫欧 18A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 900µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 79 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3194 pF 400 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 178W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-3-2
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
温度: -55°C # 150°C(TJ)