搜索 IPB60R055CFD7ATMA1 共 10 条相关记录
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Mouser
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IPB60R055CFD7ATMA1 授权代理品牌 | +1: ¥110.684428 +10: ¥94.872367 +25: ¥86.017615 +100: ¥79.060306 +250: ¥74.316688 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IPB60R055CFD7ATMA1 授权代理品牌 | 场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 38A, 150度 C, 178W | +1: ¥75.494646 +10: ¥64.689955 +25: ¥61.373166 +100: ¥53.897827 +250: ¥52.138922 | 暂无参数 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IPB60R055CFD7ATMA1 授权代理品牌 | MOSFET, N-CH, 600V, 38A, 150DEG C, 178W | +1: ¥79.738831 +10: ¥72.031956 +100: ¥59.637975 +500: ¥51.931099 | 暂无参数 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IPB60R055CFD7ATMA1 授权代理品牌 | Infineon N沟道增强型MOS管 IPA60R系列, Vds=600 V, 38 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚 | +1000: ¥41.56377 +5000: ¥40.317373 | 暂无参数 | ||
IPB60R055CFD7ATMA1 授权代理品牌 | Infineon N沟道增强型MOS管 IPA60R系列, Vds=600 V, 38 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚 | +2: ¥57.77496 +250: ¥57.195375 +500: ¥54.337613 | 暂无参数 |
IPB60R055CFD7ATMA1参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | CoolMOS™ CFD7 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 650 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 38A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 55 毫欧 18A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4.5V 900µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 79 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 3194 pF 400 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 178W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | PG-TO263-3-2 |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |