搜索 IRF6710S2TRPBF 共 2 条相关记录
自营 国内现货
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
 | 授权代理品牌 | MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET | +27： ￥3.587413 +50： ￥3.443903 +100： ￥3.300476 +300： ￥3.156966 +500： ￥3.013373 |
Digi-Key
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| 授权代理品牌 | MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET | +27： ￥6.199037 +50： ￥5.951053 +100： ￥5.703212 +300： ￥5.455228 +500： ￥5.207099 |
IRF6710S2TRPBF参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | HEXFET® |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 25 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 12A（Ta），37A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 5.9 毫欧 12A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.4V 25µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 13 nC 4.5 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1190 pF 13 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 1.8W（Ta），15W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | DirectFET™ 等容 S1 |
| 封装/外壳: | DirectFET™ 等容 S1 |
| 温度: | -55°C # 175°C（TJ） |