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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFI4020H-117P INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO-220FP 下载数据手册射频晶体管	+1：￥21.152861 +10：￥18.600654 +30：￥16.993708 +100：￥15.355254 +500：￥14.620051	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 200V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 5.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1240pF 25V 功率 - 最大值： 21W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-220-5 整包供应商器件封装： TO-220-5 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFI4020H-117P INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO-220FP 下载数据手册射频晶体管	+1：￥13.803922	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 200V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 5.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1240pF 25V 功率 - 最大值： 21W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-220-5 整包供应商器件封装： TO-220-5 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFI4020H-117P INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO-220FP 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 200V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 5.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1240pF 25V 功率 - 最大值： 21W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-220-5 整包供应商器件封装： TO-220-5 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFI4020H-117P INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO-220FP 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 200V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 5.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1240pF 25V 功率 - 最大值： 21W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-220-5 整包供应商器件封装： TO-220-5 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRFI4020H-117P INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO-220FP 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 200V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 5.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.9V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1240pF 25V 功率 - 最大值： 21W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-220-5 整包供应商器件封装： TO-220-5 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRFI4020H-117P参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	200V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9.1A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	100 毫欧 5.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.9V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	29nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1240pF 25V
功率 - 最大值:	21W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
封装/外壳:	TO-220-5 整包
供应商器件封装:	TO-220-5 整包
温度:	-55°C # 150°C（TJ）