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IXTA140P05T_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥53.462

+10:

¥48.323315

+100:

¥40.007077

+500:

¥34.837873

+1000:

¥30.342598

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: TrenchP™

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 50 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 140A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 9 毫欧 70A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 200 nC 10 V

Vgs(最大值): ±15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 13500 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 298W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-263AA

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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IXTA140P05T_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥50.274601

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: IXYS

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: TrenchP™

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 50 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 140A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 9 毫欧 70A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 200 nC 10 V

Vgs(最大值): ±15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 13500 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 298W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-263AA

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 150°C(TJ)

艾睿
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IXTA140P05T_未分类
IXTA140P05T
授权代理品牌

Trans MOSFET P-CH 50V 140A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA

未分类

+50:

¥95.54869

+100:

¥93.765038

+250:

¥92.923966

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¥92.068389

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¥91.227318

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

IXTA140P05T参数规格

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: TrenchP™
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 140A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 9 毫欧 70A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 200 nC 10 V
Vgs(最大值): ±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 13500 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 298W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263AA
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
温度: -55°C # 150°C(TJ)