IPD180N10N3GATMA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD180N10N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MV POWER MOS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.614761 +200：￥15.512321 +500：￥12.40976 +1000：￥10.341507	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 43A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 33A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 33µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 71W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPD180N10N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MV POWER MOS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥7.114792 +5000：￥6.776032 +12500：￥6.463276	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 43A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 33A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 33µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 71W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPD180N10N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MV POWER MOS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.145106 +10：￥14.073275 +100：￥10.945723 +500：￥9.277789 +1000：￥7.55785	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3
IPD180N10N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MV POWER MOS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.145106 +10：￥14.073275 +100：￥10.945723 +500：￥9.277789 +1000：￥7.55785	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： PG-TO252-3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD180N10N3GATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MV POWER MOS 下载数据手册晶体管	+1：￥14.372916 +10：￥10.861352 +100：￥9.244398 +500：￥8.411423 +1000：￥7.513115	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 43A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 33A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 33µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 25 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1800 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 71W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPD180N10N3GATMA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+1：￥9.218945 +10：￥7.942956 +25：￥6.181841	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPD180N10N3GATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	43A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	18 毫欧 33A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 33µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	25 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1800 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	71W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO252-3
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）