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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB049N08N5ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥57.440999 +30：￥31.911693	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)

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	IPB049N08N5ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.810568	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB049N08N5ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V TO263-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥15.349968	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)
	IPB049N08N5ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK 下载数据手册未分类	+1000：￥15.921446 +2000：￥15.12538 +5000：￥14.556824 +10000：￥14.074849	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 4.9mOhm @ 80A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.8V @ 66µA Supplier Device Package： PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3770 pF @ 40 V
	IPB049N08N5ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥33.520032 +10：￥27.857286 +100：￥22.175998 +500：￥18.764657	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 4.9mOhm @ 80A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.8V @ 66µA Supplier Device Package： PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3770 pF @ 40 V
	IPB049N08N5ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥33.520032 +10：￥27.857286 +100：￥22.175998 +500：￥18.764657	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 4.9mOhm @ 80A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3.8V @ 66µA Supplier Device Package： PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 6V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3770 pF @ 40 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB049N08N5ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 80V TO263-3 下载数据手册晶体管	+1：￥47.612479 +10：￥39.622715 +100：￥31.469893 +250：￥29.024046 +500：￥26.415143	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB049N08N5ATMA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+1000：￥14.03274	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPB049N08N5ATMA1参数规格

属性	参数值
系列:	OptiMOS™
工作温度:	-55°C # 175°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
封装/外壳:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装:	D²PAK (TO-263AB)