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	IPG20N10S4L22AATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8 下载数据手册射频晶体管	+1：￥6.87764	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1755pF 25V 功率 - 最大值： 60W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装，可润湿侧翼封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-10 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPG20N10S4L22AATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8 下载数据手册未分类	+1：￥16.487849 +10：￥14.327015 +100：￥11.159446 +500：￥9.103074 +1000：￥7.963613	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1755pF 25V 功率 - 最大值： 60W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装，可润湿侧翼封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-10 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPG20N10S4L22AATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1755pF 25V 功率 - 最大值： 60W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装，可润湿侧翼封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-10 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPG20N10S4L22AATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8 下载数据手册射频晶体管	+5000：￥4.658032 +10000：￥4.503841	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1755pF 25V 功率 - 最大值： 60W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装，可润湿侧翼封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-10 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	IPG20N10S4L22AATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8 下载数据手册射频晶体管	+5000：￥11.39478 +10000：￥11.017589	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1755pF 25V 功率 - 最大值： 60W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装，可润湿侧翼封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-10 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IPG20N10S4L22AATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8 下载数据手册射频晶体管	+1：￥26.289162 +10：￥21.817146 +100：￥17.35942 +500：￥14.688498 +1000：￥12.463065	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 安装类型： Surface Mount, Wettable Flank 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-10
	IPG20N10S4L22AATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8 下载数据手册射频晶体管	+1：￥26.289162 +10：￥21.817146 +100：￥17.35942 +500：￥14.688498 +1000：￥12.463065	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™ 安装类型： Surface Mount, Wettable Flank 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-10

Mouser

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	IPG20N10S4L22AATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8 下载数据手册未分类	+1：￥23.355989 +10：￥19.599431 +100：￥17.312831 +500：￥15.565217 +1000：￥13.539942	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™ 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 22 毫欧 17A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1755pF 25V 功率 - 最大值： 60W 工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装，可润湿侧翼封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PG-TDSON-8-10 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

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	IPG20N10S4L22AATMA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R 下载数据手册未分类	+1：￥15.272876 +10：￥14.210591 +25：￥14.099839 +100：￥13.468084 +250：￥13.332373	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPG20N10S4L22AATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	20A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	22 毫欧 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.1V 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	27nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1755pF 25V
功率 - 最大值:	60W
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装，可润湿侧翼
封装/外壳:	8-PowerVDFN
供应商器件封装:	PG-TDSON-8-10
温度:	-55°C # 175°C（TJ）