IRF6721STRPBF厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6721STRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.368761 +200：￥2.807321 +500：￥2.24576 +1000：￥1.871507	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta），60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.3 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1430 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.2W（Ta），42W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ SQ 封装/外壳： DirectFET™ 等容 SQ 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6721STRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.44209 +200：￥1.333127 +500：￥1.289418 +1000：￥1.267563	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta），60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.3 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1430 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.2W（Ta），42W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ SQ 封装/外壳： DirectFET™ 等容 SQ 温度： -40°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRF6721STRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta），60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.3 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1430 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.2W（Ta），42W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ SQ 封装/外壳： DirectFET™ 等容 SQ 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IRF6721STRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta），60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.3 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1430 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.2W（Ta），42W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ SQ 封装/外壳： DirectFET™ 等容 SQ 温度： -40°C # 150°C（TJ）
IRF6721STRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric SQ 供应商器件封装： DIRECTFET™ SQ
IRF6721STRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： HEXFET® 工作温度： -40°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DirectFET™ Isometric SQ 供应商器件封装： DIRECTFET™ SQ
IRF6721STRPBF International 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 14A/60A DIRECTFT 下载数据手册未分类	+630：￥6.929106	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： DirectFET™ Isometric SQ Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -40°C # 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 14A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 7.3mOhm @ 14A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.2W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.4V @ 25µA Supplier Device Package： DirectFET™ Isometric SQ Part Status： Active Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1430 pF @ 15 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF6721STRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta），60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.3 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1430 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.2W（Ta），42W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： DIRECTFET™ SQ 封装/外壳： DirectFET™ 等容 SQ 温度： -40°C # 150°C（TJ）

IRF6721STRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	14A（Ta），60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	7.3 毫欧 14A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.4V 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	17 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1430 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.2W（Ta），42W（Tc）
工作温度:	-40°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	DIRECTFET™ SQ
封装/外壳:	DirectFET™ 等容 SQ
温度:	-40°C # 150°C（TJ）