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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9389TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO 下载数据手册射频晶体管	+10：￥4.415048 +300：￥2.985675 +1000：￥2.191673 +4000：￥1.588125 +8000：￥1.508749	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.8A，4.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 6.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 398pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	IRF9389TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥9.201808	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.8A，4.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 6.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 398pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9389TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO 下载数据手册未分类	+4000：￥2.360938	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.8A，4.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 6.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 398pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF9389TRPBF TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	IRF9389TRPBF TECH PUBLIC/台湾台舟电子下载数据手册未分类	+3000：￥1.345419 +9000：￥1.27438 +15000：￥1.19417 +30000：￥1.172459 +51000：￥1.08561	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF9389TRPBF 授权代理品牌	IRF9389TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.340414	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF9389TRPBF 授权代理品牌	IRF9389TRPBF BYCHIP/百域芯下载数据手册未分类	+10：￥2.071223 +500：￥1.912049 +2000：￥1.752644 +6000：￥1.593355	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF9389TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.185133 +100：￥1.736901 +1000：￥1.554806 +2000：￥1.470762 +4000：￥1.400726	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.8A，4.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 6.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 398pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF9389TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥2.153183	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.8A，4.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 6.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 398pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF9389TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.079327 +10：￥1.980349 +50：￥1.83472 +100：￥1.663391 +500：￥1.579233	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.8A，4.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 6.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 398pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	IRF9389TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥1.267411 +8000：￥1.167974 +12000：￥1.117256 +20000：￥1.060283 +28000：￥1.03189	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.8A，4.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 6.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 398pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF9389TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.8A，4.6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	27 毫欧 6.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.3V 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	14nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	398pF 15V
功率 - 最大值:	2W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）