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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9389TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO 下载数据手册射频晶体管	+10：￥8.539056 +100：￥6.096528 +300：￥4.662144 +500：￥3.95856 +1000：￥3.560544	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.8A，4.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 6.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 398pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9389TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO 下载数据手册未分类	+1：￥4.684298 +10：￥4.001609 +30：￥3.665516	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.8A，4.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 6.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 398pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9389TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥9.201808	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.8A，4.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 6.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 398pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9389TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO 下载数据手册未分类	+4000：￥2.360938	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.8A，4.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 6.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 398pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF9389TRPBF TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	IRF9389TRPBF TECH PUBLIC/台湾台舟电子下载数据手册未分类	+3000：￥1.345419 +9000：￥1.27438 +15000：￥1.19417 +30000：￥1.172459 +51000：￥1.08561	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF9389TRPBF 授权代理品牌	IRF9389TRPBF VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.429435 +50：￥1.393665 +100：￥1.35801 +200：￥1.32224 +300：￥1.286468	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF9389TRPBF 授权代理品牌	IRF9389TRPBF BYCHIP/百域芯下载数据手册未分类	+10：￥1.380815 +500：￥1.274661 +2000：￥1.168391 +6000：￥1.062237	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	IRF9389TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.419436 +100：￥1.948283 +1000：￥1.731807 +2000：￥1.629936 +4000：￥1.553533	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.8A，4.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 6.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 398pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	IRF9389TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥2.153183	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.8A，4.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 6.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 398pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRF9389TRPBF INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO 下载数据手册射频晶体管	+4000：￥1.48366 +8000：￥1.408175 +12000：￥1.307575 +28000：￥1.27741	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： HEXFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.8A，4.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 27 毫欧 6.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 10µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 398pF 15V 功率 - 最大值： 2W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

IRF9389TRPBF参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	HEXFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.8A，4.6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	27 毫欧 6.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.3V 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	14nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	398pF 15V
功率 - 最大值:	2W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）